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» DDR3 布线 Break in 和Break out 区域 怎么理解
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mo910
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发表于 2011-1-21 10:36
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[高速设计]
DDR3 布线 Break in 和Break out 区域 怎么理解
DDR3内存布线时,DG中划分了好几个区域,regionA regionB C D E F G,它搞这么多怎么理解,它反复提到Break in Break out,怎么去理解这两个意思
谢谢!
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lpch8
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沙发
发表于 2011-1-21 17:06
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1#
mo910
我理解的breakin和breakout只是说明方向,假如从memory controller到sdram的整个拓扑,那么从memorycontroller出来的在bga下面走的那部分就代表breakout区域,因为它的走线一般都较窄,间距较近,而在进入dimm条后,同样的走线也变窄,并且间距很近,因此,叫breakin区域。
仅供参考!
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cbwardpan
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板凳
发表于 2011-1-27 20:08
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楼上解释没错,我也是这样理解的,线宽都会变细和间距变窄的地方
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龙井茶
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地板
发表于 2011-3-7 21:12
|
只看该作者
DDR3 的标准里好像有
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