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Triton
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发表于 2010-7-26 13:07
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只看该作者
我现在还没搞明白要做哪些?或者说可以做哪些?就是外包给EDA公司,也要有一些需求文档啊,比如DDR接口的SI和时序分析,其他接口的仿真等,我现在无从下手啊
如果人生也能仿真...
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Dandy_15
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发表于 2010-7-26 17:11
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只看该作者
因为以前没做过SI仿真,说真的,我还真不知道该仿真哪些东西,不过SDRAM的数据,地址,控制线是一定要仿的,当然是SI跟时序都要做。
LEE-电子工程师实验室,
http://edi-2008.spaces.live.com
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cyt20050511
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发表于 2010-7-26 18:57
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只看该作者
想看看,就怎结束了呢?
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zhangwei
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发表于 2010-7-27 13:05
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只看该作者
三星的NANDflash网站有模型,spansion和华邦的都有模型啊;SDRAM用韩国现代的嘛也有模型,华邦和其他的都有模型啊。楼主能否搞了DDR有差分时钟的案例给大牛们搞搞啊。sdram速度太低时序余量大一般没什么问题,主要是DDR类时序和信号质量比较重要。(规格书等等要准备好给大牛们参考设计),其他外围接口模型难找。
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zhangwei
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发表于 2010-7-28 18:36
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只看该作者
http://www.pcbsi.com/bbs/viewthr ... p;extra=&page=2
' x6 t4 M% y7 q
这里有个例子,芯片是TI的,IBIS模型都有,PCB也有。
5 _" g, S' M) t; l3 R4 [
大牛们如果有空的话
可以用这个例子做做实例呀。就做下时序和信号质量仿真。
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cxh_boy
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cxh_boy
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发表于 2010-7-30 20:37
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只看该作者
这么好开始,怎么没有后续了就
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bragi_liu
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bragi_liu
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发表于 2010-8-5 19:15
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只看该作者
是啊,沒下文了
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